型号:

DRDNB16W-7

RoHS:无铅 / 符合
制造商:Diodes Inc描述:ARRAY NPN TRANS/SW DIODE SOT363
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
DRDNB16W-7 PDF
产品变化通告 Wire Change 16/Sept/2008
其它图纸 SOT-363 Package Top
SOT-363 Package Side 1
SOT-363 Package Side 2
标准包装 3,000
系列 -
晶体管类型 NPN - 预偏压 + 二极管
电流 - 集电极 (Ic)(最大) 600mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧) 1k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧) 10k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) 56 @ 50mA,5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) 300mV @ 2.5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大) 500nA
频率 - 转换 200MHz
功率 - 最大 200mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装 SOT-363
包装 带卷 (TR)
产品目录页面 1576 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 DRDNB16WDITR
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